Name: IQDH45N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 2.71331 CHF
Availability: OutOfStock

Canal N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-U02

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IQDH45N04LM6CGATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQDH45N04LM6CGATMA1
Description	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-TTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQDH45N04LM6CGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 1,449mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 129 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Boîtier fournisseur PG-TTFN-9-U02
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Ta), 637A (Tc)	Boîtier 9-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IQDH45
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,45mohms à 50A, 10V