Name: IQE008N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 2.44306 CHF
Availability: InStock

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IQE008N03LM5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE008N03LM5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE008N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE008N03LM5ATMA1
Description	TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface PG-TSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE008N03LM5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27A (Ta), 253A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,85mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5700 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSON-8-4
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IQE008N