Name: IQE008N03LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 2.42144 CHF
Availability: InStock

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IQE008N03LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE008N03LM5CGSCATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V Montage en surface PG-WHTFN-9
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE008N03LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	9-PowerWDFN
Boîtier fournisseur	PG-WHTFN-9