Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.82674 CHF
Availability: OutOfStock

Canal N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9

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IQE046N08LM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQE046N08LM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQE046N08LM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 47µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3250 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Boîtier 9-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IQE046
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,6mohms à 20A, 10V