Name: IRF100P218AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100P218AKMA1-ND
Price: 10.11816 CHF
Availability: InStock

Canal N 100 V 209 A (Tc) 3,8W (Ta), 556W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IRF100P218AKMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF100P218AKMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF100P218AKMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 209 A (Tc) 3,8W (Ta), 556W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF100P218AKMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,28mohms à 100A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 278µA
Série StrongIRFET™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 412 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 24000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 556W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 209 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-247-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 9.36000	Fr. 9.36
25	Fr. 5.64920	Fr. 141.23
100	Fr. 4.76740	Fr. 476.74
500	Fr. 4.06240	Fr. 2’031.20
1’000	Fr. 3.83623	Fr. 3’836.23
2’000	Fr. 3.64625	Fr. 7’292.50

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.