Name: IRF100P219AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100P219AKMA1-ND
Price: 4.76721 CHF
Availability: OutOfStock

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IRF100P219AKMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IRF100P219AKMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF100P219AKMA1
Description	MOSFET N-CH 100V TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 203A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF100P219AKMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	StrongIRFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	203A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 278µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12020 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 341W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Boîtier	TO-247-3

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 4.41000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 4.76721

IRF100P219AKMA1