Name: IRF3808STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRLPBFTR-ND
Price: 3.3511 CHF
Availability: InStock

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IRF3808STRLPBF
cms-digikey-product-number	IRF3808STRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF3808STRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF3808STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRF3808STRLPBF
cms-description	MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
cms-standard-lead-time	26 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 75 V 106 A (Tc) 200W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
cms-eda-cad-models	IRF3808STRLPBF Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	106 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7mohms à 82A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5310 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF3808

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 3.10000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 3.35110

IRF3808STRLPBF