TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF520NSPBF

Numéro de produit DigiKey
IRF520NSPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRF520NSPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF520NSPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
200mohms à 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
330 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,8W (Ta), 48W (Tc)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 en stock
En raison d'un approvisionnement limité temporaire, nous ne pouvons pas accepter les commandes différées, et le délai d'approvisionnement n'est pas disponible. Voir Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable