IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF520NSTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF520NSTRLPBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF520NSTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	330 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF520