IRF6668TR1PBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IRF6668TR1PBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Rochester Electronics, LLC

En stock: 59’176

Prix unitaire : Fr. 1.18134

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IRF6668TR1PBF
Numéro de produit DigiKey	IRF6668TR1PBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF6668TR1PBF
Description	MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 55 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MZ
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 12A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,9V à 100µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1320 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,8W (Ta), 89W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Boîtier fournisseur DIRECTFET™ MZ
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier DirectFET™ Isometric MZ

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF6668TRPBF	Rochester Electronics, LLC	59’176	2156-IRF6668TRPBF-ND	Fr. 1.18134	Équivalent paramétrique

Obsolète

IRF6668TR1PBF