IRF7307TRPBF Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

IRF7307TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IRF7307TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7307PBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7307TRPBF
Description	MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 5,2 A, 4,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 2,6A, 4,5V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 700mV à 250µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 660pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,2 A, 4,3 A	Numéro de produit de base IRF73

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMC2020USD-13	Diodes Incorporated	0	DMC2020USD-13DICT-ND	Fr. 1.01000	Similaire
PJL9602_R2_00001	Panjit International Inc.	1’425	3757-PJL9602_R2_00001CT-ND	Fr. 0.89000	Similaire