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Fiche technique
MOSFET - Matrices 20V 6,6 A, 5,3 A 2W Montage en surface 8-SO
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IRF7317PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF7317PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF7317PBF
Description
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 6,6 A, 5,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
29mohms à 6A, 4,5V
Fabricant
Infineon Technologies
Vgs(th) (max.) à Id
700mV à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
27nC à 4,5V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
900pF à 15V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Puissance - Max.
2W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
Canaux N et P
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Boîtier fournisseur
8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,6 A, 5,3 A
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMC2020USD-13Diodes Incorporated0DMC2020USD-13DICT-NDFr. 1.01000Similaire
FDS9934Consemi0FDS9934CCT-NDFr. 0.93000Similaire
En stock: 0
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