IRF7343PBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 14’401
Prix unitaire : Fr. 1.16000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 5’566
Prix unitaire : Fr. 0.83000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 582
Prix unitaire : Fr. 1.12000
Fiche technique
MOSFET - Matrices 55V 4,7 A, 3,4 A 2W Montage en surface 8-SO
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7343PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF7343PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF7343PBF
Description
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 55V 4,7 A, 3,4 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF7343PBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,7 A, 3,4 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
50mohms à 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
740pF à 25V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.