Name: IRF7493TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7493PBFTR-ND
Price: 1.74041 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF7493TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7493PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7493PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7493PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7493TRPBF
Description	MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 9,3 A (Tc) 2,5W (Tc) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1510 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3 A (Tc)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF7493
Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 5,6A, 10V