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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRF8306MTRPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRF8306MTRPBF-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF8306MTRPBF |
Description | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 23 A (Ta), 140 A (Tc) 2,1W (Ta), 75W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MX |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 100µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC @ 4.5 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4110 pF @ 15 V |
Statut du composant Obsolète | Fonction FET Diode Schottky (substrat) |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 75W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur DIRECTFET™ MX |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 23A, 10V | Numéro de produit de base |
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Obsolète
