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IRF8313PBF | |
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Numéro de produit DigiKey | IRF8313PBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRF8313PBF |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 9,7A 2W Montage en surface 8-SO |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 25µA |
Fabricant Infineon Technologies | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90nC à 4,5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 760pF à 15V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Puissance - Max. 2W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-SO |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,7A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 15,5mohms à 9,7A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN3015LSD-13DICT-ND | Fr. 0.78000 | Similaire |


