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Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.78000
Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 9,7A 2W Montage en surface 8-SO
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IRF8313PBF

Numéro de produit DigiKey
IRF8313PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF8313PBF
Description
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 9,7A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,35V à 25µA
Fabricant
Infineon Technologies
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90nC à 4,5V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
760pF à 15V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Puissance - Max.
2W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier fournisseur
8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,7A
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
15,5mohms à 9,7A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMN3015LSD-13Diodes Incorporated0DMN3015LSD-13DICT-NDFr. 0.78000Similaire
En stock: 0
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