IRF8313TRPBF Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

IRF8313TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 0.78000

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IRF8313TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF8313TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF8313TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF8313TRPBF
Description	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 9,7A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF8313TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 15,5mohms à 9,7A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 25µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 760pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,7A	Numéro de produit de base IRF8313