Name: IRF9383MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF9383MTRPBFTR-ND
Price: 2.78898 CHF
Availability: InStock

IRF9383MTRPBF est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 3’447

Prix unitaire : Fr. 1.54000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF9383MTRPBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRF9383MTRPBFTR-ND - Bande et bobine 448-IRF9383MTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF9383MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF9383MTRPBF
Description	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 22 A (Ta), 160 A (Tc) 2,1W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MX
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF9383MTRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Ta), 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,9mohms à 22A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7305 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 113W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DIRECTFET™ MX
Boîtier	DirectFET™ Isometric MX
Numéro de produit de base	IRF9383