IRF9952 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Infineon Technologies
En stock: 14’889
Prix unitaire : Fr. 1.00000
Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 3,5 A, 2,3 A 2W Montage en surface 8-SO
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IRF9952

Numéro de produit DigiKey
IRF9952-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF9952
Description
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 3,5 A, 2,3 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF9952 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,5 A, 2,3 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
190pF à 15V
Puissance - Max.
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.