Name: IRFB4110PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBF-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: InStock

Canal N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRFB4110PBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFB4110PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB4110PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB4110PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9620 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 370W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFB4110
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohms à 75A, 10V

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.63000	Fr. 2.63
50	Fr. 1.31340	Fr. 65.67
100	Fr. 1.18540	Fr. 118.54
500	Fr. 0.96112	Fr. 480.56
1’000	Fr. 0.88905	Fr. 889.05
2’000	Fr. 0.82846	Fr. 1’656.92
5’000	Fr. 0.76507	Fr. 3’825.35

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.