IRFB7434PBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFB7434PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFB7434PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFB7434PBF
Description	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 195 A (Tc) 294W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFB7434PBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,6mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	324 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10820 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	294W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IRFB7434

Product Questions and Answers

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En stock: 913

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.59000	Fr. 2.59
50	Fr. 1.30000	Fr. 65.00
100	Fr. 1.17460	Fr. 117.46
500	Fr. 0.95476	Fr. 477.38

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.