IRFH3707TRPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRFH3707TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFH3707TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFH3707TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFH3707TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFH3707TRPBF
Description	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12 A (Ta), 29 A (Tc) 2,8W (Ta) Montage en surface 8-PQFN (3x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFH3707TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta), 29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,4mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,35V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	755 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (3x3)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	IRFH3707

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)