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IRFH5110TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IRFH5110TRPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFH5110TRPBF |
Description | MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRFH5110TRPBF Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3152 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 3,6W (Ta), 114W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12,4mohms à 37A, 10V |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 1’367 | BSC109N10NS3GATMA1CT-ND | Fr. 2.04000 | Similaire |
| BSC118N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | 11’350 | BSC118N10NSGATMA1CT-ND | Fr. 1.93000 | Similaire |
| DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMT8012LFG-13-ND | Fr. 0.33219 | Similaire |
| STL60N10F7 | STMicroelectronics | 8’845 | 497-13879-1-ND | Fr. 1.56000 | Similaire |
| STL90N10F7 | STMicroelectronics | 2’176 | 497-13969-1-ND | Fr. 1.82000 | Similaire |
Obsolète
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