Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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IRFHM3911TRPBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - Bande et bobine 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFHM3911TRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,2 A (Ta), 20 A (Tc) 2,8W (Ta), 29W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (3x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFHM3911TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,2 A (Ta), 20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	115mohms à 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 35µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	760 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta), 29W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (3x3)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IRFHM3911

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.83000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.89723

IRFHM3911TRPBF