IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IRFR3710ZTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR3710ZTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR3710ZTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR3710ZTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR3710ZTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 42 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2930 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFR3710
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 33A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	2’204	IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND	Fr. 1.85000	Similaire
IRFR3710ZTRPBF	Infineon Technologies	14’000	IRFR3710ZTRPBFCT-ND	Fr. 1.91000	Équivalent paramétrique
AOD2910	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOD2910-ND	Fr. 0.33787	Similaire
FDD86102LZ	onsemi	13’886	FDD86102LZFSCT-ND	Fr. 1.87000	Similaire
STD25NF10LT4	STMicroelectronics	7’889	497-3156-1-ND	Fr. 2.50000	Similaire

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