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Canal N 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface D2PAK
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IRFS3006PBF

Numéro de produit DigiKey
IRFS3006PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFS3006PBF
Description
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,5mohms à 170A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8970 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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