Name: IRFS4010TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4010TRLPBFTR-ND
Price: 3.34029 CHF
Availability: InStock

IRFS4010TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFS4010TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFS4010TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFS4010TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFS4010TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFS4010TRLPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,7mohms à 106A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9575 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRFS4010

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 3.09000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 3.34029

IRFS4010TRLPBF