
IRS2117SPBF | |
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Numéro de produit DigiKey | IRS2117SPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRS2117SPBF |
Description | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | Haut potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Programmable DigiKey | Non vérifié | |
Configuration | Haut potentiel | |
Type de canal | Simple | |
Nombre de circuits d'attaque | 1 | |
Type de grille | IGBT, MOSFET (canal N) | |
Tension - Alimentation | 10V ~ 20V | |
Tension logique - VIL, VIH | 6V, 9,5V | |
Courant - Sortie de crête (source, absorption) | 290 mA, 600 mA | |
Type d'entrée | Sans inversion | |
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) | 600 V | |
Temps de montée / descente (typ.) | 75ns, 35ns | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |

