IRFSL7730PBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRFSL7730PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFSL7730PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFSL7730PBF
Description	MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-262
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®, StrongIRFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,6mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,7V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	407 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13660 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-262
Boîtier	TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base	IRFSL7730