IRL3103STRLPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IRL3103STRLPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 6’043

Prix unitaire : Fr. 2.13000

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IRL3103STRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRL3103STRLPBF-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRL3103STRLPBF
Description	MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 64 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	64 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12mohms à 34A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1650 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	94W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB