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Canal N 30 V 9,9 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRL6342PBF

Numéro de produit DigiKey
IRL6342PBF-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRL6342PBF
Description
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 9,9 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRL6342PBF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
14,6mohms à 9,9A, 4,5V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
1,1V à 10µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11 nC @ 4.5 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±12V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1025 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
8-SO
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
AO4468Alpha & Omega Semiconductor Inc.6’068785-1038-1-NDFr. 0.72000Similaire
DMN3016LSS-13Diodes Incorporated0DMN3016LSS-13DICT-NDFr. 0.74000Similaire
FDS6690Aonsemi7’888FDS6690ACT-NDFr. 1.00000Similaire
FDS8878onsemi5’112FDS8878CT-NDFr. 0.72000Similaire
En stock: 0
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