IRL6372TRPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRL6372TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRL6372TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRL6372TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRL6372TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRL6372TRPBF
Description	MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 8,1A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRL6372TRPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,1A
Rds On (max.) à Id, Vgs	17,9mohms à 8,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 10µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1020pF à 25V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	IRL6372

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)