IRFH5053TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Recommandation fabricant


Infineon Technologies
En stock: 13’121
Prix unitaire : Fr. 0.83000
Fiche technique

Direct


STMicroelectronics
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Fiche technique

Similaire


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En stock: 2’586
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Fiche technique
Canal N 100 V 9,3 A (Ta), 46 A (Tc) 3,1W (Ta), 8,3W (Tc) Montage en surface Matrice simple PQFN (5x6)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFH5053TRPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFH5053TRPBFTR-ND - Bande et bobine
IRFH5053TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
IRFH5053TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFH5053TRPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 9,3 A (Ta), 46 A (Tc) 3,1W (Ta), 8,3W (Tc) Montage en surface Matrice simple PQFN (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFH5053TRPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
18mohms à 9,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,9V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1510 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,1W (Ta), 8,3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
Matrice simple PQFN (5x6)
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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