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Canal N 55 V 51 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface D2PAK
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRLZ44ZSPBF

Numéro de produit DigiKey
IRLZ44ZSPBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRLZ44ZSPBF
Description
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 51 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
51 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
13,5mohms à 31A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1620 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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