Name: ISZ810P06LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND
Price: 1.23234 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

ISZ810P06LMATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ810P06LMATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ810P06LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ810P06LMATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 19,5 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-26
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ810P06LMATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	81mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 724µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1400 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-26
Boîtier	8-PowerTDFN