SMBTA14E6327HTSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.37000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 91
Prix unitaire : Fr. 0.55000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 3’317
Prix unitaire : Fr. 0.21000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 81
Prix unitaire : Fr. 0.21000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 10’562
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 42’871
Prix unitaire : Fr. 0.13000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 15’449
Prix unitaire : Fr. 0.16000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 28’287
Prix unitaire : Fr. 0.20000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 15’771
Prix unitaire : Fr. 0.16000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 3’000
Prix unitaire : Fr. 0.00015
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 715
Prix unitaire : Fr. 0.32000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 3’000
Prix unitaire : Fr. 0.00015
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 4’485
Prix unitaire : Fr. 0.32000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 153
Prix unitaire : Fr. 0.27000
Fiche technique
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 30 V 300 mA 125MHz 330 mW Montage en surface PG-SOT23
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SMBTA14E6327HTSA1

Numéro de produit DigiKey
SMBTA14E6327HTSA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SMBTA14E6327HTSA1
Description
TRANS NPN DARL 30V 0.3A PG-SOT23
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 30 V 300 mA 125MHz 330 mW Montage en surface PG-SOT23
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SMBTA14E6327HTSA1 Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
20000 à 100mA, 5V
Fabricant
Puissance - Max.
330 mW
Conditionnement
Bande et bobine
Fréquence - Transition
125MHz
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de transistor
Type de montage
Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
300 mA
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
30 V
Boîtier fournisseur
PG-SOT23
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
1,5V à 100µA, 100mA
Numéro de produit de base
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 nA (ICBO)
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (14)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SMMBTA14LT1Gonsemi0SMMBTA14LT1GOSCT-NDFr. 0.37000Direct
2SD2142KT146Rohm Semiconductor912SD2142KT146CT-NDFr. 0.55000Similaire
BCV27onsemi3’317BCV27CT-NDFr. 0.21000Similaire
BCV27,215Nexperia USA Inc.811727-4894-1-NDFr. 0.21000Similaire
MMBTA13-7-FDiodes Incorporated10’562MMBTA13-FDICT-NDFr. 0.18000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.