SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

SPB100N03S2-03 G est en fin de série et n'est plus distribué par DigiKey.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Infineon Technologies

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SPB100N03S2-03 G
Numéro de produit DigiKey	SPB100N03S2-03G-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB100N03S2-03 G
Description	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7020 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SPB100N