Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1TR-ND
Price: 1.49178 CHF
Availability: InStock

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SPB18P06PGATMA1
Numéro de produit DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Bande et bobine SPB18P06PGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB18P06PGATMA1
Description	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 18,7 A (Ta) 81,1W (Ta) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	130mohms à 13,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	860 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	81,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SPB18P06

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Date de dernière disponibilité : 31/03/2026

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