Name: SPD03N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND
Price: 1.54583 CHF
Availability: InStock

Canal N 600 V 3,2 A (Tc) 38W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3

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SPD03N60C3ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-SPD03N60C3ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-SPD03N60C3ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-SPD03N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPD03N60C3ATMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 3,2 A (Tc) 38W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPD03N60C3ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 135µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 38W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 2A, 10V	Numéro de produit de base SPD03N60

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPN60R1K0PFD7SATMA1	Infineon Technologies	1’902	448-IPN60R1K0PFD7SATMA1CT-ND	Fr. 0.89000	Recommandation fabricant
STD7N60M2	STMicroelectronics	7’201	497-13941-1-ND	Fr. 1.53000	Direct
STD5N80K5	STMicroelectronics	1’466	497-16929-1-ND	Fr. 1.91000	Similaire

En stock: 15’882

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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026

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