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Fiche technique
PG-TO220-3-1
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SPP06N60C3HKSA1

Numéro de produit DigiKey
SPP06N60C3HKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SPP06N60C3HKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 6,2 A (Tc) 74W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
750mohms à 3,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,9V à 260µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
620 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3-1
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.