
SPP15N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-SPP15N60C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP15N60C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 15 A (Tc) 156W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP15N60C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 675µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1660 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 280mohms à 9,4A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 3’049 | SPP11N80C3XKSA1-ND | Fr. 3.01000 | Direct |
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 44 | IPP60R280P7XKSA1-ND | Fr. 2.03000 | Recommandation fabricant |
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | 417 | 448-IPP65R045C7XKSA1-ND | Fr. 8.70000 | Similaire |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | Fr. 4.60000 | Direct |
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | Fr. 3.16000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.80000 | Fr. 3.80 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.80000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.10780 |








