
SPP17N80C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPP17N80C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP17N80C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 17 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP17N80C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 177 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2320 pF @ 25 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 290mohms à 11A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’719 | IRF830APBF-ND | Fr. 2.41000 | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Similaire |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | Fr. 3.28000 | Similaire |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | Fr. 5.73000 | Similaire |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | Fr. 2.37000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.22000 | Fr. 4.22 |
| 50 | Fr. 2.19500 | Fr. 109.75 |
| 100 | Fr. 1.99910 | Fr. 199.91 |
| 500 | Fr. 1.65598 | Fr. 827.99 |
| 1’000 | Fr. 1.54585 | Fr. 1’545.85 |
| 2’000 | Fr. 1.45329 | Fr. 2’906.58 |
| 5’000 | Fr. 1.45059 | Fr. 7’252.95 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 4.22000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.56182 |











