
SPP20N65C3XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPP20N65C3XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPP20N65C3XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPP20N65C3XKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 114 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 25 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 13,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP22N65X2 | IXYS | 3’978 | 238-IXFP22N65X2-ND | Fr. 5.90000 | Similaire |
| SIHP23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 803 | SIHP23N60E-GE3-ND | Fr. 3.51000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.11000 | Fr. 4.11 |
| 50 | Fr. 2.12740 | Fr. 106.37 |
| 100 | Fr. 1.93660 | Fr. 193.66 |
| 500 | Fr. 1.60218 | Fr. 801.09 |
| 1’000 | Fr. 1.49482 | Fr. 1’494.82 |
| 2’000 | Fr. 1.40459 | Fr. 2’809.18 |
| 5’000 | Fr. 1.39587 | Fr. 6’979.35 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 4.11000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.44291 |

