
SPW35N60C3FKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SPW35N60C3FKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPW35N60C3FKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 34,6 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SPW35N60C3FKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1,9mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500 pF @ 25 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 313W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 21,9A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG44N65EF-GE3-ND | Fr. 4.72666 | Direct |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1’646 | FCH077N65F-F085-ND | Fr. 9.22000 | Similaire |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 201 | FCH077N65F-F155-ND | Fr. 8.59000 | Similaire |
| IXFH36N60P | IXYS | 565 | IXFH36N60P-ND | Fr. 11.14000 | Similaire |
| IXFX48N60Q3 | IXYS | 38 | IXFX48N60Q3-ND | Fr. 23.77000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.16000 | Fr. 8.16 |
| 30 | Fr. 4.82367 | Fr. 144.71 |
| 120 | Fr. 4.08958 | Fr. 490.75 |
| 510 | Fr. 3.55212 | Fr. 1’811.58 |
| 1’020 | Fr. 3.48992 | Fr. 3’559.72 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 8.16000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 8.82096 |









