Name: IV1Q12050T3
Brand: Inventchip
SKU: 4084-IV1Q12050T3-ND
Price: 6.27755 CHF
Availability: OutOfStock

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IV1Q12050T3
Numéro de produit DigiKey	4084-IV1Q12050T3-ND
Fabricant	Inventchip
Numéro de produit du fabricant	IV1Q12050T3
Description	SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 58 A (Tc) 327W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Inventchip
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	3,2V à 6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	120 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2770 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	327W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
120	Fr. 5.80717	Fr. 696.86

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.