Name: IXFA180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFA180N10T2-ND
Price: 7.08055 CHF
Availability: OutOfStock

IXFA180N10T2
Numéro de produit DigiKey	IXFA180N10T2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFA180N10T2
Description	MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 480W (Tc) Montage en surface TO-263AA (IXFA)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IXFA180N10T2 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, TrenchT2™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	480W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263AA (IXFA)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IXFA180

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 6.55000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 7.08055

IXFA180N10T2