Name: IXFA18N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFA18N65X2-ND
Price: 2.30001 CHF
Availability: OutOfStock

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IXFA18N65X2
Numéro de produit DigiKey	238-IXFA18N65X2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFA18N65X2
Description	MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	41 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 18 A (Tc) 290W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Ultra X2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	200mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1520 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	290W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IXFA18

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
300	Fr. 2.12767	Fr. 638.30

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