IXYX110N120A4
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFH80N65X2

Numéro de produit DigiKey
238-IXFH80N65X2-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFH80N65X2
Description
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
34 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
40mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8245 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
890W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247 (IXTH)
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH80
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En stock: 5’318
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 12.54000Fr. 12.54
30Fr. 7.71367Fr. 231.41
120Fr. 6.65633Fr. 798.76
510Fr. 6.61078Fr. 3’371.50
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 12.54000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 13.55574