IXFN50N120SIC IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXFN50N120SIC est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

IXYS

En stock: 134

Prix unitaire : Fr. 43.06000

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IXFN50N120SIC
Numéro de produit DigiKey	IXFN50N120SIC-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFN50N120SIC
Description	SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 47 A (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	47 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 40A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	100 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1900 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base	IXFN50