IXFN55N120SK IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFN55N120SK
Numéro de produit DigiKey	238-IXFN55N120SK-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFN55N120SK
Description	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 54 A (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	54 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	42mohms à 40A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 12mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3360 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 27.58000	Fr. 27.58
10	Fr. 20.39400	Fr. 203.94
100	Fr. 17.98400	Fr. 1’798.40

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.